三星电子推进10nm级第七代1d DRAM量产,计划明年上半年引入设备
火星财经消息,6 月 17 日,据 Citrini 研究员 Jukan 爆料,三星电子正推进 10nm 级第七代 1d DRAM 量产准备,计划明年上半年引入设备,最早明年年底启动初期量产,当前 1c DRAM 线宽约 11-12nm,而 1d 将进一步缩小至 10-11nm 以提升性能和能效。 该工艺开发进展相对领先,但关键设备仍处于开发阶段,三星与合作伙伴积极开展良率和性能优化研发,计划年底前细化时间表。 1d DRAM 将作为三星 AI 内存业务核心,尤其用于 2029 年预计商用的 HBM5E 高带宽内存核心芯片,支持其在 AI 芯片供应链中的竞争力。

